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絕緣電阻功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)由華測(cè)儀器生產(chǎn),是一款為科研、材料開(kāi)發(fā)、工業(yè)生產(chǎn)等領(lǐng)域設(shè)計(jì)的測(cè)試系統(tǒng),功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)集成了測(cè)量技術(shù)、自動(dòng)化控制技術(shù)和效率高的數(shù)據(jù)分析算法,評(píng)估各類(lèi)功能材料的電學(xué)性能,可用于功能材料鐵電、壓電、熱釋電、介電、絕緣電阻等電學(xué)測(cè)試,為材料科學(xué)家、工程師和研究人員提供測(cè)試支持
測(cè)試模塊
1.鐵電參數(shù)測(cè)試功能
動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率
靜態(tài)電滯回錢(qián)測(cè)試
脈沖測(cè)試
疲勞測(cè)試
保持力
印跡
漏電流測(cè)試
變溫測(cè)試功能
2.絕緣電阻測(cè)試功能
高準(zhǔn)確度的電壓輸出與電流測(cè)量,確保測(cè)試的品質(zhì),適用于功能材料在高溫環(huán)境材料的數(shù)據(jù)的檢測(cè)。例如:陶瓷材料、硅橡膠測(cè)試、PCB、云母也可做為科研院所新新材料的高溫絕緣電阻的性能測(cè)試
3.壓電參數(shù)測(cè)試功能
可進(jìn)行壓電陶瓷的唯靜態(tài)d33等參數(shù)測(cè)試,也可通過(guò)高壓放均由位移傳感器(如勘怪 干涉儀)動(dòng)態(tài)法測(cè)量壓電系數(shù)測(cè)量
4.高溫四探針測(cè)試功能
符合功能材料導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料與其他新材料在高溫環(huán)境下測(cè)試多樣化的需求。雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線(xiàn)或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)及A.S.T.M,也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途
5.熱釋電測(cè)試功能
主要用于薄膜及塊體材料變溫的熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線(xiàn)
薄膜材料變溫范圍:-196℃~+600℃
塊體材料變溫范圍:RT~200℃、RT ~600℃、RT~800°C
6.介電溫譜測(cè)試功能
用于分析寬頻、高低溫環(huán)境條件下功能材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量,同時(shí)還可以分析被測(cè)樣晶隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲線(xiàn)
7.塞貝克系數(shù)/電阻測(cè)量系統(tǒng)
適用于半導(dǎo)體,陶瓷材料,金屬材料等多種材料的多種熱電性能分析;可根據(jù)用戶(hù)需求配置薄膜測(cè)量選件,低溫選件溫度范圍-100℃ ~200℃,高阻選件高至10MΩ
8.電卡效應(yīng)測(cè)試功能
可以用于測(cè)試材料,在寬溫度范圍內(nèi)的電卡性能
溫度范圍:-50℃~200℃;
熱流時(shí)間范圍:1s-1000s;
電壓可達(dá)10kV;
波形:用戶(hù)自定、脈沖、三角波、正弦波、任意波形、預(yù)定義波形
9.熱激發(fā)極化電流測(cè)試儀TSDC
用于研究功能材料性能的一些關(guān)鍵因素,諸如分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等,通過(guò)TSDC技術(shù)也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間等相關(guān)的介電特性
公司簡(jiǎn)介
Beijing Hua Ce Testing Instrument Co., Ltd. is a national high-tech enterprise, abbreviated as Hua Ce Instrument. It is a company engaged in research and development, production and manufacturing. The company has a functional materials electrical laboratory and an electrical insulation materials electrical laboratory.
The products involve material testing instruments, signal amplification and conditioning, data acquisition and control, comprehensive performance evaluation of sensors, etc.
